IGZO相关论文
Effects of in-situ remote plasma treatment on amorphous indium gallium zinc oxide thin film transist
Amorphous InGaZnO (a-IGZO) material is a post transition metal oxide which has recently garnered much attention as a act......
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本文研究的目的：基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响，会出现阈值电压为负值，......
非晶铟镓锌氧化物半导体(α IGZO)因其具有较高的载流子迁移率和光学透过率,以及较好的均匀性和稳定性,是下一代柔性、透明显示中......
Amongst the available amorphous semiconductors that are suitable for large-area and flexible electronics,IGZO has shown ......
Advanced PECVD for High Performance TFT Qunhua Wang, Young Jin Choi, Beom Soo Park, Dong Kil Yim, La
Displays in mobile phones, tablets and TVs are moving into higher mobility TFT for better performance. LTPS (low-tempera......
在低温下制备了三氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管。原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性。经过200......
在2012年12月于美国举行的“IEDM 2012”上,被采用的4篇论文中,有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si(硅)行业对该材料备受......
通过掩膜板制备源漏电极的方法，以非晶铟-镓-锌氧化物（a—IGzO）为有源层，制备了结构为ITO／siO2（400nm）／a-IGZO（50nm）／Al的底栅顶接触型（BGTC）光......
通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌(IGZO)薄膜,为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响,在不同的氧分压0,0.......
本文采用磁控溅射技术沉积InGaZnO(IGZO)薄膜,制备具有底栅结构的薄膜晶体管(TFT).测试并分析IGZO TFT的电学性能和在不同波长紫外......
IGZO液晶的发展史回首1985年,夏普IGZO液晶开发的历史绝非一帆风顺。与以往使用硅生产的液晶相比,使用InGaZnO生产的TNT液晶虽然拥......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
通过对比电特性曲线、阈值电压、亚阈值摆幅等参数的变化趋势,深入分析了低温真空制备的Si Nx介质层非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体......
基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电......
以InGaZnO(IGZO)为有源层的薄膜晶体管(TFT)可以应用于光电探测领域。在实验中,研究了该器件的电学特性和在不同光照条件下的光电......
随着高分辨率平板显示、大尺寸柔性电子器件以及传感器的快速发展,氧化物薄膜晶体管成为研究热点。总结和分析了溶液加工法制备的......
文章详细地介绍了以IGZO TFT为主要代表的显示材料以及n型TFT的工作原理、研究进展及在其制备的过程中可能受到的限制和影响、在许......
研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH 3等离子体和N 2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。......
随着科学技术的迅速发展，社会生活中人们对信息量的需求急剧膨胀，人们在日常生活中需要掌握比以往更多的信息，为顺应此趋势，显示器也开......
室温下,利用射频磁控溅射技术在p型〈100〉硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）。结果表明,不同氧分压的I......
The suitability of indium gallium zinc oxide(IGZO) thin-film transistors(TFT) for implementation of active matrix displa......
对In-Ga-Zn-O (IGZO)材料推广应用过程中可能的技术阻碍进行了分析,包括IGZO的成分分析、IGZO靶材制备技术分析、IGZO-TFT (IGZO薄......
采用射频(RF)磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4(IGZO......
为了适应视觉效果的提升,对于显示面板的集成度有了更高的要求。基于IGZO沟道的TFT存储器的出现能够实现显示模块和存储模块的统一......
非晶铟稼锌氧化物材料（Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,a-IGZO）自2003年提出以来,由于其迁移率高、大面积制备均匀以及可见光......
阐述了透明导电氧化物材料的研究现状，重点介绍ITO薄膜和靶材的研究进展及ZAO薄膜的研究现状，并就透明导电材料发展的方向及面临的挑......
在G4.5实验线上,采用射频磁控溅射法,通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数,以XRD,HR-TEM,NBED和ED......
氧化物薄膜晶体(TFT)具有迁移率高、可低温制备、可大面积制备、均匀性好、透明等一系列优点,所以在全透明显示以及柔性显示领域都......
随着智能手机、电视和可穿戴设备的发展,显示技术发挥着越来越重要的作用。薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)是显示技术核心......
相比于PN结二极管,由多数载流子导通的肖特基二极管具有响应速率快,正向导通压降低等优点,在直流、微波领域得到广泛应用。近年来,......
由于迁移率高、均匀性好、制备成本低等优势,铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）有望促成有源矩阵有机发光显示器件（AMOLED）的大规模量......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件。重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性......
近年来,随着大尺寸液晶显示器和有源有机发光二极管的发展,传统的非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管已经很难满足要求,以铟镓锌氧......
随着大尺寸的显示器和有机发光二极管的发展,传统的晶体硅薄膜和有机薄膜晶体管已经满足不了现代显示的要求。作为薄膜晶体管的核......
柔性半导体器件凭借其可弯曲、低成本、低功耗、生产简易性和规模化等突出优势而存在广阔的应用前景,如曲面显示、智能标签、小型......
近年来,基于氧化物半导体的薄膜晶体管(TFTs)因在未来大尺寸、高帧率和高分辨率的平板显示器中的潜在应用而备受关注。现今的有源......
采用射频磁控溅射方法在n型硅片上制备了底栅顶结构的铟镓锌氧-薄膜晶体管(IGZO-TFT)。分别采用Au、Cu、Al 3种金属材料作为电极,......
